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Konstruktion einer monolithischen Schaltanlage

2024-07-04
Latest company news about Konstruktion einer monolithischen Schaltanlage

Schaltnetzteile haben herausragende Vorteile wie hohe Effizienz, geringes Gewicht, geringe Größe und einen breiten Spannungsstabilisierungsbereich.Sie haben sich extrem schnell entwickelt und sind in Computern weit verbreitet.Es hat ein großes Potenzial, die lineare regulierte Stromversorgung zu ersetzen.Die Verbesserung der Schaltkreisintegration ist eines der Ziele der SchaltversorgungFür kleine und mittlere Leistungsschalter ist es notwendig, eine monolithische Integration zu erreichen.Stromschalterröhre und Schutzschaltung in einem Chip, und die aus dem integrierten Spannungsregler bestehende Schaltnetzteil wird als monolithische Schaltnetzteil bezeichnet.Die monolithische Schaltanlage der amerikanischen PI Company ist ein hervorragender Vertreter.
Die von TOPSwitch ‧GX konstruierte Schaltstromversorgung mit 250 Watt ist in Abbildung 1 dargestellt. Die Gleichspannung wird durch die Hauptseite des Transformators an den Abfluss D von TOPSwitch ‧GX hinzugefügt.die Frequenzwahlvorrichtung F und die Grenzstromvorrichtung X sind an die Quelle S angeschlossen;, dann sind die Funktionen beider Enden nutzlos, d. h. die Grenze wird nicht extern eingestellt.und die Schaltfrequenz ist 132KDer Steuerpfeiler ist mit dem Optocoupler LTV817 verbunden und empfängt Rückkopplungssignale zur Steuerung des Arbeitszyklus des intern integrierten Hochspannungs-MOS-Schlauchs. the line detection terminal L passes through a 2MΩ The resistor is connected to the positive terminal of the DC high-voltage input to realize line voltage detection of overvoltage and undervoltage line voltage feedforwardDer Kondensator C1 ist ein Hochfrequenzfilterkondensator; der transiente Spannungsschutz P6KE200 und die ultraschnelle Wiederherstellungsdiode BYV26C bilden einen Spannkreislauf.und einer RC-Absorptionsschaltung (bestehend aus R2, R3 und C6) in Serie angeschlossen wird, so daß neben der Absorption eines Teils der Leckageinduktivität neben der Energie im Stromkreis auch die Spannung bei 200 V geklemmt werden kann,so dass die Abflussspannung des internen integrierten MOS-Rohrs des TOPSwitch-GX bei Einschaltvorgangs oder Überlastung nicht mehr als 700 V beträgtDie Sekundärleistung des Hochfrequenztransformators T1 geht durch die MURl640CT nach Berichtigung und C9, C10 und C11-Filterung.und filtern dann das Schaltgeräusch durch Magnetkugeln L1 und C12, wird die Ausgangsspannung erreicht; VD4 und C14 bilden einen Weichstartkreislauf.
Die monolithische Schaltnetzteil hat erhebliche Vorteile wie monolithische Integration, einfachere Peripherie-Schaltkreise, bessere Leistungsindikatoren,und die Fähigkeit, eine vollständige Isolierung ohne Leistungsfrequenztransformatoren zu erreichenEs ist eine ideale Wahl für uns, um Schaltnetzteile unter 290 W zu entwerfen.